CMP抛光液的流速快慢会有什么影响？

现代芯片制造领域有两种相互矛盾的趋势:待加工的工件尺寸越来越大，但要求的加工精度却越来越高。比如下一代集成电路中的晶圆直径要大于300mm，但表面粗糙度和波纹度要小于几埃，下一代磁盘的划痕深度和粗糙度要≤1nm和≤0.1nm，因此有必要对材料进行分子去除。

  抛光液中所含的化学物质与晶片表面或亚表面相互作用，形成软化层或弱结合，或在晶片表面产生钝化反应，使材料被平滑均匀地去除，抛光液中的固体(纳米)颗粒对工件软化或弱键表面进行磨损以达到镜面抛光的效果。事实上，在CMP抛光中重要的相互作用是在利用抛光液在工件表面形成氧化膜和去除的过程(例如氧化和去除晶片上的金属涂层)。抛光液的流动性能与cmp抛光原理相结合，更容易被理解。

  抛光液的流变性对抛光速率和抛光质量起着重要的作用。大多数晶圆抛光液含有固体颗粒，如氧化硅溶胶（二氧化硅抛光液），可以达到晶圆表面高平整度，磨料改变抛光液浆料的流变性质。从物理上讲，微流体是指一种流体:由刚性的、随机取向的粒子(或球体)组成，粒子悬浮在粘性介质中，而粒子本身的变形可以忽略不计。因为二氧化硅颗粒通常是球型状态，所以用微流体来表征。